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Tagore
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Tagore

Tagore公司成立于 2011 年，Tagore先进的专有技术和设备以极具竞争力的价格显着降低了系统解决方案的复杂性、尺寸、重量和功耗 - 与硅解决方案相比，提供了显着改善的功率转换品质因数。Tagore是一家无晶圆厂半导体公司，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。Tagore的研发 D 团队致力于开发利用宽带隙技术的颠覆性解决方案，帮助Tagore的客户应对 RF 和电源设计挑战，并加快从 5G 蜂窝基础设施到广泛应用的上市时间。Tagore与领先的半导体铸造厂和装配厂合作，提供质量上乘且可靠性高的产品。利用宽带隙能力，Tagore的专有技术显着降低了复杂性，从 5G 基础设施到消费、汽车和公共安全应用的各种尺寸和功耗...

Tagore公司概况：
  • Tagore旨在开创用于射频 (RF) 和电源管理应用的硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 半导体技术
  • Tagore产品包括高功率射频开关，带有集成驱动器电路、功率放大器和电源管理电路。
  • Tagore 提供基于硅基氮化镓 (GaN-on-Si)、氮化镓 (GaN)-碳化硅 (SiC) 和砷化镓技术的创新解决方案。
  • Tagore拥有广泛的 GaN 功率放大器产品组合，适用于 30 - 2600 MHz 之间的频率范围。
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